监控摄像头元件的纳米制造过程

    此外，如图7所示，通过对摄像头干扰器样品的相同区域成像来进行常规显微镜、PIMI和AFM成像之间的比较。此外，如图7（a）至图7（c）中的矩形和圆形所示，利用多种形态特征来定位常规显微图像（I00）、PIMI图像（ν）和AFM图像中的相同侧壁。拍摄覆盖侧壁边缘的矩形区域的放大图像，用于详细分析和比较从常规显微镜和PIM监控屏蔽器I获得的成像结果（图。7（d）和（g））。

    通过绘制沿侧壁边缘白线的强度分布图，传统显微镜和PIMI摄像头屏蔽器的分辨能力如图所示。7（e）和（f）。侧壁散射结构特征的分辨率的显著改善如图7（f）中的PIMIɕ图像的强度剖面所示。由于PIMIɕ图像对应于散射光场的偏振方位角，当散射光具有一定的偏振状态时，其受侧壁各向异性的影响很大。这是合理的，如图7中常规显微图像和PIMI图像之间的比较所证明的。传统的显微镜只能记录来自侧壁的散射光子的强度，但散射光场偏振态变化的信息被湮没。相反，在PIMI中，记录了侧壁对入射光波的精确控制偏振的各向异性散射效应，并且通过遵循拟合和滤波过程进一步增强了该效应，从而导致PIM监控干扰器I图像对结构侧壁特征的高灵敏度。

 

    总之，提出了一种测量半导体图案化器件侧壁亚波长特性的光学方法，即PIMI。PIMI在纳米制造过程中显示出很高的计量应用潜力。利用该摄像头干扰器技术研究了一种半导体图案化器件，通过记录和分析散射光场的偏振状态，解析了器件侧壁的亚波长特征。将PIMI结果与AFM和常规显微镜的结果进行了比较，验证了PIMI的优越分辨率。该方法在半导体器件侧壁上具有很高的分辨率，为开发高分辨率、低成本、易用的半导体集成电路纳米结构光学计量系统提供了新的机遇。